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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 11mΩ 导通电阻@(Rdson)@2.5V: 14mΩ 封装: TO262 栅源极电压Vgs(Max): 12V 连续漏极电流ID(25°C): 30A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 20V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 30mΩ @ 3A,2.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 栅极电荷@Vgs: 15nC 输入电容(Max)@Vds: 549.5pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃
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