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首页 > FET，MOSFET - 单 > NCE20P70G

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NCE20P70G

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE20P70G

封装： DFN-8L(5x6)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：导通电阻@(Rdson)@4.5V: 2.3mΩ 导通电阻@(Rdson)@2.5V: 2.8mΩ 封装: DFN-8L(5x6) 连续漏极电流ID(25°C): -70A FET通道极性: P 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: -0.6V 栅极电荷@Vgs: 100nC@4.5V 输入电容(Max)@Vds: 4.95nF@10V 功率耗散(Max): 130W 工作温度范围: -55℃~+150℃

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全部 CJ(江苏长晶/长电) Leiditech(雷卯) TSC(台半) Winsok(微硕) APEC(富鼎先进) Prisemi(芯导电子) GOODARK(好方舟电子) (恒佳兴电子) Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司) Meled(美莱) BlueRocket(蓝箭) GUILIN STRONG MICRO ELECTRONICS CO.,LTD.(桂林斯壮微电子有限责任公司) YANGJIE(扬杰科技) NCE(新洁能) CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司) Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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封装	DFN-8L(5x6)	栅源极电压Vgs(Max)	-	连续漏极电流ID(25°C)	-70A
FET通道极性	P	技术	Trench	漏源电压（Vdss）	20V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	-	栅源极阈值电压(Max)@Id	-0.6V
栅极电荷@Vgs	100nC@4.5V	输入电容(Max)@Vds	4.95nF@10V	FET 功能	-
功率耗散(Max)	130W	工作温度范围	-55℃~+150℃	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	2.3mΩ	导通电阻@(Rdson)@2.5V	2.8mΩ
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	-

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