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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 11.5mΩ 封装: DFN3.3x3.3-8L 连续漏极电流ID(25°C): 20A FET通道极性: N 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 30V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.5V 栅极电荷@Vgs: 17nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1nF@15V 功率耗散(Max): 20W 工作温度范围: -55℃~+150℃
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