元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 10.5mΩ 封装: DFN-8(3.3x3.3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 25A FET通道极性: N-Channel 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.1Ω@10V,2A 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1981pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃
更多供应商
替代型号(100个)
详细参数(70%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营  | 电话：- 邮箱：- | 3-5天 | 10 | - | 1+ ￥0.9581 10+ ￥0.8844 30+ ￥0.86966 100+ ￥0.82544 | ￥0.9581 |
