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首页 > FET，MOSFET - 单 > NCE3080IA

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NCE3080IA

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE3080IA

封装： TO-251

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：导通电阻@(Rdson)@4.5V: 7.5mΩ 封装: TO-251 连续漏极电流ID(25°C): 80A FET通道极性: N 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 30V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.1V 栅极电荷@Vgs: 51nC 输入电容(Max)@Vds: 2330pF 功率耗散(Max): 83W

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
联营	电话：- 邮箱：-	3-5天	115	-	1+ ￥0.87945 10+ ￥0.8118 30+ ￥0.79827 100+ ￥0.75768	￥0.87945

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全部中国中国台湾日本美国德国荷兰

综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	NCE3080I NCE3080I 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	NCE(新洁能)	TO251	-	TO251 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	CS90N03A3 CS90N03A3 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	CR Micro(华润微)	TO251	-	TO251 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	BRCS20N03IP BRCS20N03IP 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	BlueRocket(蓝箭)	TO251	-	TO251 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	CS130N03A3 CS130N03A3 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	CR Micro(华润微)	TO251	-	TO251 -	-	-	-	0 pcs - -	-
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温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP3N035N AP3N035N 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	APEC(富鼎先进)	SOT-23S(N)	-	SOT-23S(N) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	ME7114-G ME7114-G 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)	DFN3.3*3.3	-	DFN3.3*3.3 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	SSF2306 SSF2306 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	GOODARK(好方舟电子)	SOT23	-	SOT23 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	GM3008 GM3008 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	GUILIN STRONG MICRO ELECTRONICS CO.,LTD.(桂林斯壮微电子有限责任公司)	SOT23	-	SOT23 -	-	-	-	0 pcs - -	-

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封装	TO-251	栅源极电压Vgs(Max)	-	连续漏极电流ID(25°C)	80A
FET通道极性	N	技术	Trench	漏源电压（Vdss）	30V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	-	栅源极阈值电压(Max)@Id	1.1V
栅极电荷@Vgs	51nC	输入电容(Max)@Vds	2330pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	83W	工作温度范围	-	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	7.5mΩ	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	5.5mΩ

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