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首页 > FET，MOSFET - 单 > NCE30H10

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NCE30H10

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE30H10

封装： TO-220(TO-220-3)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：导通电阻@(Rdson)@4.5V: 5mΩ 封装: TO-220(TO-220-3) 连续漏极电流ID(25°C): 100A FET通道极性: N 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 30V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.6V 栅极电荷@Vgs: 70nC 输入电容(Max)@Vds: 3400pF 功率耗散(Max): 110W

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
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全部 TI(德州仪器) ST(意法半导体) INFINEON(英飞凌) VISHAY(威世) MCC(美微科) Diotec(DIOTEC) NXP(恩智浦) CR Micro(华润微) TSC(台半) GOODARK(好方舟电子) KEXIN(科信) Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派) Meled(美莱) BlueRocket(蓝箭) NCE(新洁能) Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司) RENESAS(瑞萨) Me-tech(美台高科) DIODES(美台)

全部中国中国台湾日本美国德国瑞士荷兰

综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）	合计（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	MCAC100N03Y-TP MCAC100N03Y-TP 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	MCC(美微科)	DFN5060	-	DFN5060 -	-	-	-	0 pcs - -	1+ ￥7.78658 展开收起	￥7.78658
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温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	ME45N03T ME45N03T 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)	TO220	-	TO220 -	-	-	-	0 pcs - -	-
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温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	SW072R72E7T SW072R72E7T 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派)	TO220	-	TO220 -	-	-	-	0 pcs - -	-
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温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	ME95N03-G ME95N03-G 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)	DPAK	-	DPAK -	-	-	-	0 pcs - -	-

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封装	TO-220(TO-220-3)	栅源极电压Vgs(Max)	-	连续漏极电流ID(25°C)	100A
FET通道极性	N	技术	Trench	漏源电压（Vdss）	30V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	-	栅源极阈值电压(Max)@Id	1.6V
栅极电荷@Vgs	70nC	输入电容(Max)@Vds	3400pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	110W	工作温度范围	-	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	5mΩ	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	4mΩ

NCE30H10

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