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图片仅供参考，请查阅数据手册

NCE30P12S

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE30P12S

封装： SOIC-8_150mil

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 18mΩ 封装: SOIC-8_150mil 连续漏极电流ID(25°C): -12A FET通道极性: P 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 30V 栅源极阈值电压(Max)@Id: -1.5V 栅极电荷@Vgs: 24nC 输入电容(Max)@Vds: 1750pF 功率耗散(Max): 3W

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