NCE30P30K

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE30P30K

封装： TO-252-2(DPAK)

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-252-2(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): -30A FET通道极性: P-Channel 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 30mΩ@-15A,-4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 栅极电荷@Vgs: 31nC 输入电容(Max)@Vds: 706pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃