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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 15mΩ 封装: TO-252-2(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 60A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 40V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 5A,4.5V(N-Channe);45mΩ @ -5A,-4.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 118 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1609pF FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 450W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus
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详细参数(90%)
| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| DPAK | - | DPAK - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥4.90266 | ￥4.90266 | |
| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
对比
| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
对比
| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 5000+ ￥6.93842 | ￥6.93842 | |
| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
对比
| DFN8 | - | DFN8 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| TO-252 | - | TO-252 - | - | 0 pcs | - | 编带 | 0 pcs 编带 - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度99%
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| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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