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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252-2(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): -40A FET通道极性: P-Channel 技术: Trench 漏源电压(Vdss): 40V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 12mΩ@10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 栅极电荷@Vgs: 72nC 输入电容(Max)@Vds: 826.18pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 2581 | 23+ | 1+ ¥0.8085 100+ ¥0.79772 1000+ ¥0.78694 | ¥0.8085 | |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 1633 | - | 5+ ¥1.65 50+ ¥1.43 150+ ¥1.21 500+ ¥1.078 1500+ ¥0.99 2500+ ¥0.9328 | ¥8.25 | |
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