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首页 > FET，MOSFET - 单 > NCE6012AS

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NCE6012AS

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE6012AS

封装： SOP-8

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：导通电阻@(Rdson)@4.5V: 9.1mΩ 封装: SOP-8 连续漏极电流ID(25°C): 12A FET通道极性: N 技术: Trench 漏源电压（Vdss）: 60V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.3V 栅极电荷@Vgs: 93nC 输入电容(Max)@Vds: 4100pF 功率耗散(Max): 3W

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
联营	电话：- 邮箱：-	3-5天	10	-	1+ ￥2.09143	￥2.09143
联营	电话：- 邮箱：-	3-5天	135	-	1+ ￥1.27777 10+ ￥1.17948 30+ ￥1.15982 100+ ￥1.10084	￥1.27777

全部 ST(意法半导体) INFINEON(英飞凌) onsemi(安森美) IXYS(艾赛斯) AOS(万代) VISHAY(威世) MCC(美微科) NTE Electronics Inc.(NTE Electronics) CR Micro(华润微) Leiditech(雷卯) TSC(台半) Winsok(微硕) Prisemi(芯导电子) KEXIN(科信) Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派) Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司) Meled(美莱) BlueRocket(蓝箭) YANGJIE(扬杰科技) NCE(新洁能) CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司)

全部中国中国台湾美国德国瑞士

综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）	合计（含税）
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封装	SOP-8	栅源极电压Vgs(Max)	-	连续漏极电流ID(25°C)	12A
FET通道极性	N	技术	Trench	漏源电压（Vdss）	60V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	-	栅源极阈值电压(Max)@Id	1.3V
栅极电荷@Vgs	93nC	输入电容(Max)@Vds	4100pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	3W	工作温度范围	-	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	9.1mΩ	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	8.5mΩ

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