在线客服
原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A FET通道极性: N-Channel 技术: Trench 漏源电压(Vdss): 60V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 7mΩ@10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 栅极电荷@Vgs: 90nC 输入电容(Max)@Vds: 826.18pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 2347 | 24+ | 1+ ¥0.8624 1000+ ¥0.8085 | ¥0.8624 | |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 873 | - | 5+ ¥1.39436 50+ ¥1.28216 500+ ¥1.13256 1000+ ¥1.02036 2500+ ¥0.968 | ¥6.9718 |