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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252-2L 栅源极电压Vgs(Max): 20V 连续漏极电流ID(25°C): -10A FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): 60V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1600mΩ @ 0.04A,1.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 25nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 930pF@30V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+175℃
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 97 | 23+ | 1+ ¥0.84623 | ¥0.84623 | |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 1349 | - | 5+ ¥1.07192 20+ ¥0.97452 100+ ¥0.87711 500+ ¥0.77972 1000+ ¥0.73427 2000+ ¥0.7018 | ¥5.3596 |