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NCE60P45K

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE60P45K

封装： TO252

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO252 栅源极电压Vgs(Max): 20V 连续漏极电流ID(25°C): -45A FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: -60V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 460mΩ @ 0.35A,1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 100pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃

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国别/地区：
全部 中国 中国台湾
综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
PPMDP40V70
PPMDP40V70
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PPMDP40V70

PPMDP40V70

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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Prisemi(芯导电子)

TO252
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MTP4835J3-0-T3-G
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MTP4835J3-0-T3-G

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CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司)

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SSF4607D
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SSF4607D

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GOODARK(好方舟电子)

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KQD5P10
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KEXIN(科信)

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TSC(台半)

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GM6385

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GUILIN STRONG MICRO ELECTRONICS CO.,LTD.(桂林斯壮微电子有限责任公司)

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NCE(新洁能)

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BlueRocket(蓝箭)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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ME60P06T-G

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

对比

Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

TO220
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