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NCE60P82AK

品牌: NCE(新洁能)

型号: NCE60P82AK

封装: TO252

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 13mΩ 封装: TO252 栅源极电压Vgs(Max): 20V 连续漏极电流ID(25°C): -82A FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): -60V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 40mΩ @ 3A,4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 栅极电荷@Vgs: 62nC 输入电容(Max)@Vds: 730pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃

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