NHDTA123JTVL

品牌： NXP(恩智浦)

型号： NHDTA123JTVL

封装： SOT23

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

描述： 封装: SOT23 集电极电流Ic(Max): 100 mA 晶体管类型: NPN - Pre-Biased 集射极击穿电压(Max): 50 V 基级电阻(R1): 4.7 kΩ 发射-基极电阻(R2): 47 kΩ 直流电流增益(Min): 80 @ 5mA, 10V 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 集电极截止电流(Max): 500nA 截止频率: 150 MHz 功率(Max): 200 mW 系列: Automotive, AEC-Q101