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首页 > 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > NHUMB10X
图片仅供参考，请查阅数据手册

NHUMB10X

品牌： Nexperia(安世半导体)

型号： NHUMB10X

封装： SOT363

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

描述： 封装: SOT363 集电极电流Ic(Max): 100 集射极击穿电压(Max): 80 基级电阻(R1): 2.2 发射-基极电阻(R2): 47 功率(Max): 350

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自营

电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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