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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO263 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 8mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3300 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
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