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NP82N055NUG-S18-AY

品牌: NEC(日电)

型号: NP82N055NUG-S18-AY

封装: TO262

量产: 停产

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO262 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 82A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 6mΩ @ 41A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 160 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 9.6 pF @ 25 V FET 功能: Current Sensing 功率耗散(Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Through Hole 系列: *

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KEXIN(科信)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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NP82N04NDG-S18-AY
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NP82N04NDG-S18-AY

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NEC(日电)

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NP80N04NLG-S18-AY

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NEC(日电)

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INFINEON(英飞凌)

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INFINEON(英飞凌)

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INFINEON(英飞凌)

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INFINEON(英飞凌)

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INFINEON(英飞凌)

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