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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO252 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 90A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 60 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 7.8mΩ @ 45A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 6900 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: U-MOSVII-H
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