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描述： 封装: TSSOP6 集电极电流Ic(Max): 100mA, 500mA 晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 集射极击穿电压(Max): 50V, 15V 基级电阻(R1): 4.7kΩ 发射-基极电阻(R2): 4.7kΩ 直流电流增益(Min): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 集电极截止电流(Max): 1µA, 100nA 截止频率: 280MHz 功率(Max): 300mW 系列: *
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