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NSVMMUN2132LT1G

品牌: onsemi(安森美)

型号: NSVMMUN2132LT1G

封装: SOT-23-3 (TO-236)

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

描述: 封装: SOT-23-3 (TO-236) 集电极电流Ic(Max): 100 mA 晶体管类型: PNP - Pre-Biased 集射极击穿电压(Max): 50 V 基级电阻(R1): 4.7 kOhms 发射-基极电阻(R2): 4.7 kOhms 直流电流增益(Min): 15 @ 5mA, 10V 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 集电极截止电流(Max): 500nA 功率(Max): 246 mW

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