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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-247-4L 栅源极电压Vgs(Max): +22V, -8V 连续漏极电流ID(25°C): 55A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 650V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 50mΩ @ 25A, 18V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.3V @ 8mA 栅极电荷@Vgs: 105nC@-5~18V 输入电容(Max)@Vds: 1.87nF@325V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 187W (Tc) 工作温度范围: -55℃~+175℃ 安装类型: Through Hole 系列: *
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