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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: DFN8(5*6) 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流ID(25°C): 11.3A, 18.1A FET 功能: Standard 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 5.4mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 22.2nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 1153pF @ 15V 功率(Max): 1.1W 工作温度范围: -55℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
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