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NTMFS4C01NT1G

品牌: onsemi(安森美)

型号: NTMFS4C01NT1G

封装: DFN-5

量产: 停产

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: DFN-5 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 47A (Ta), 303A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 0.9mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 139 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 10144 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount

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