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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DPAK3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 19A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 74mΩ @ 19A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1000 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 71W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: Automotive, AEC-Q101
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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