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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-236AB 栅源极电压Vgs(Max): 20 连续漏极电流ID(25°C): 0.265 FET通道极性: N 技术: Si 漏源电压(Vdss): 60 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1 输入电容(Max)@Vds: 20.2 功率耗散(Max): 0.31W 工作温度范围: 150℃
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营 | 电话:0755-82781085 邮箱:juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ¥0.20167 | |