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图片仅供参考,请查阅数据手册

NXPSC08650DJ

品牌: WeEn(瑞能半导体)

型号: NXPSC08650DJ

封装: DPAK

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: 单二极管

描述: 封装: DPAK 二极管类型: Silicon Carbide Schottky 反向重复峰值电压VRRM: 650V 正向压降: 1.7 V @ 8 A 平均整流电流(Io): 8A 反向漏电流: 230 µA @ 650 V 速度: No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间(trr): 0 ns

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