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首页 > 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PDTD123EUF
图片仅供参考，请查阅数据手册

PDTD123EUF

品牌： Nexperia(安世半导体)

型号： PDTD123EUF

封装： SOT323

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

描述： 封装: SOT323 集电极电流Ic(Max): 500 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压(Max): 50 基级电阻(R1): 2.2 发射-基极电阻(R2): 2.2 直流电流增益(Min): 40 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 100mV 截止频率: 225MHz 功率(Max): 320

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供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格（含税） 数量&价格(含税) 操作
自营

电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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