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PNMT100V2

品牌： Prisemi(芯导电子)

型号： PNMT100V2

封装： SOT23

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：封装: SOT23 栅源极电压Vgs(Max): 20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 100V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 61mΩ @ -2.5A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1050pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃

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封装	SOT23	栅源极电压Vgs(Max)	20V	FET通道极性	N-Channel
技术	MOSFET	漏源电压（Vdss）	100V	驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-
漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	61mΩ @ -2.5A,-1.8V	栅源极阈值电压(Max)@Id	4V@250uA	栅极电荷@Vgs	14.5nC@10V
输入电容(Max)@Vds	1050pF	FET 功能	-	功率耗散(Max)	30W
工作温度范围	-55℃~150℃	安装类型	-	系列	-

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