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图片仅供参考，请查阅数据手册

QS8J1TR

品牌： ROHM(罗姆)

型号： QS8J1TR

封装： TSMT8

量产： 不推荐

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 阵列

描述： 封装: TSMT8 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 12V 连续漏极电流ID(25°C): 4.5A FET 功能: Logic Level Gate 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 29mΩ @ 4.5A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 31nC @ 4.5V 输入电容(Max)@Vds: 2450pF @ 6V 功率(Max): 1.5W 工作温度范围: 150℃ FET通道极性: 2 P-Channel (Dual)

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电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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