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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: EMT3F (SOT-416FL) 栅源极电压Vgs(Max): ±8V 连续漏极电流ID(25°C): 0.2A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 50 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.2Ω @ 200mA, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 800mV @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 26 pF @ 10 V 功率耗散(Max): 150mW (Ta) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: OptiMOS™
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