• 在线客服

首页 > IGBT,MOSFET - 单 > RGS80TSX2DGC11
图片仅供参考,请查阅数据手册

RGS80TSX2DGC11

品牌: ROHM(罗姆)

型号: RGS80TSX2DGC11

封装: TO-247N

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: IGBT,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-247N 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 1200 V IGBT 类型: Trench Field Stop 集电极电流Ic(Max): 80 A 集电极脉冲电流(Icm): 120 A 集射极导通电压: 2.1V @ 15V, 40A 功率(Max): 555 W 开关能量: 3mJ (on), 3.1mJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 104 nC 25°C 时 Td(开/关)值: 49ns/199ns 测试条件: 600V, 40A, 10Ω, 15V 反向恢复时间(trr): 198 ns 工作温度范围: -40℃~175℃ 系列: HiPerFAST™

  • 更多供应商

  • 替代型号(0个)

  • 详细参数(100%)

供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格(含税) 数量&价格(含税) 操作
河北安智浦电子科技有限公司

电话:15933531515

邮箱:-

1-2周 17100 DC2年内
-

暂无数据

对比

清空对比栏