元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DFN8(5*6) 栅源极电压Vgs(Max): +20V, -12V 连续漏极电流ID(25°C): 70A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 5.5mΩ @ 20A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 29 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 9100 pF @ 25 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 142W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: *
更多供应商
替代型号(100个)
详细参数(80%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - |
-
| |
