RM110N82T2

品牌： RECTRON(丽正)

型号： RM110N82T2

封装： TO220-3

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO220-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 110A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 82 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 7mΩ @ 20A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 50 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 6400 pF @ 40 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 200W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: *