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RM21N650T7

品牌： RECTRON(丽正)

型号： RM21N650T7

封装： TO247

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO247 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 21A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 650 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 180mΩ @ 10.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 94 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1950 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 200W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: QFET®

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供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格（含税） 数量&价格(含税) 操作
自营

电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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品牌：
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国别/地区：
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综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
RM21N650T2
RM21N650T2
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RM21N650T2

RM21N650T2

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

RECTRON(丽正)

TO220-3
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LCE65T180F
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LCE65T180F

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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Leiditech(雷卯)

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KX20N65V
KX20N65V
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KX20N65V

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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KEXIN(科信)

TO220AB
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R6576KNZ4C13
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R6576KNZ4C13

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非PIN TO PIN | 相似度88%

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ROHM(罗姆)

TO-247G
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FCHD040N65S3-F155
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FCHD040N65S3-F155

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非PIN TO PIN | 相似度88%

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onsemi(安森美)

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IPW65R041CFDFKSA1
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IPW65R041CFDFKSA1

IPW65R041CFDFKSA1

非PIN TO PIN | 相似度88%

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INFINEON(英飞凌)

PG-TO247-3-1
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SIHG22N60E-E3
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SIHG22N60E-E3

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VISHAY(威世)

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TK14N65W5,S1F
TK14N65W5,S1F
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TK14N65W5,S1F

TK14N65W5,S1F

非PIN TO PIN | 相似度88%

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KIOXIA(铠侠)

TO247
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C3M0025065D
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C3M0025065D

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CREE(科锐)

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IXTX102N65X2

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非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

IXYS(艾赛斯)

PLUS247™-3
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PLUS247™-3

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