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RM80N30DN

品牌: RECTRON(丽正)

型号: RM80N30DN

封装: PPAK8(3*3)

量产: 量产中

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: PPAK8(3*3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 3.8mΩ @ 24A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3190 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 66W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: *

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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
TSM180N03PQ33 RGG
TSM180N03PQ33 RGG
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TSM180N03PQ33 RGG

TSM180N03PQ33 RGG

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

TSC(台半)

PDFN8(3*3)

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CRTT030N03L
CRTT030N03L
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CRTT030N03L

CRTT030N03L

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

CR Micro(华润微)

TO220

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CRTD045N03L
CRTD045N03L
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CRTD045N03L

CRTD045N03L

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

CR Micro(华润微)

TO-252

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TO-252

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CSD30N55
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CSD30N55

CSD30N55

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司)

TO252

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SIR3808
SIR3808
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SIR3808

SIR3808

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

Meled(美莱)

TO251

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NCE80N03K
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NCE80N03K

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

NCE(新洁能)

TO252-2L

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YJD80N03B
YJD80N03B
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YJD80N03B

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

YANGJIE(扬杰科技)

TO-252

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BRCS80N03DP
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BRCS80N03DP

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

BlueRocket(蓝箭)

TO-252

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RJK0393DPA-00#J53
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RJK0393DPA-00#J53

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非PIN TO PIN | 相似度88%

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RENESAS(瑞萨)

WPAK8

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NVTFS4823NTAG
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NVTFS4823NTAG

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非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

onsemi(安森美)

WDFN8(3.3*3.3)

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WDFN8(3.3*3.3)

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