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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO251 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 8A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 700 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 600mΩ @ 4A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 590 pF @ 50 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 69W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: *
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详细参数(80%)
| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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| TO251(IPAK) | - | TO251(IPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥37.20257 | ￥37.20257 | |
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| TO251 | - | TO251 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| TO251(IPAK) | - | TO251(IPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 15000+ ￥3.01139 | ￥3.01139 | |
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| TO251(IPAK) | - | TO251(IPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 15000+ ￥4.89365 | ￥4.89365 | |
| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| TO251(IPAK) | - | TO251(IPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥3.37 | ￥3.37 | |
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| TO252-2 | - | TO252-2 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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