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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SC-89-3 栅源极电压Vgs(Max): ±8V 连续漏极电流ID(25°C): 606mA ( Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 20 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 950mV @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 1.49 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 66 pF @ 10 V 功率耗散(Max): 250mW (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: SI1
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