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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: SOT-23 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 3A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 60V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 125mΩ @ 3A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 6nC@4.5V 输入电容(Max)@Vds: 247pF@30V 功率耗散(Max): 350mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~+150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
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