SI2311DS-T1-E3

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： SI2311DS-T1-E3

封装： SOT-23-3 (TO-236)

量产： 停产

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: SOT-23-3 (TO-236) 栅源极电压Vgs(Max): ±8V 连续漏极电流ID(25°C): 3A (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压（Vdss）: 8 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 800mV @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 12 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 970 pF @ 4 V 功率耗散(Max): 710mW (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®