SI2369DS-T1-GE3

品牌： VISHAY(威世)

型号： SI2369DS-T1-GE3

封装： SOT-23

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: SOT-23(SOT-23-3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 29mΩ @ 5.4A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1295 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®