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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: 6-TSOP 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 8A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 19.6 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 735 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount
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