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SI3464DV-T1-GE3

品牌： VISHAY(威世)

型号： SI3464DV-T1-GE3

封装： TSOP-6

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TSOP-6 栅源极电压Vgs(Max): ±8V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 20V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 24mΩ @ 7.5A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 18 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 1065 pF @ 10 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®

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河北安智浦电子科技有限公司

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DMN2040UVT-7
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Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司)

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GOODARK(好方舟电子)

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