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SI3495DV-T1-GE3

品牌: Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号: SI3495DV-T1-GE3

封装: 6-TSOP

量产: 停产

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: 6-TSOP 栅源极电压Vgs(Max): ±5V 连续漏极电流ID(25°C): 5.3A (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压(Vdss): 20 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 750mV @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 38 nC @ 4.5 V 功率耗散(Max): 1.1W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®

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