SI4425FDY-T1-GE3

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： SI4425FDY-T1-GE3

封装： 8-SOIC

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: 8-SOIC 栅源极电压Vgs(Max): +16V, -20V 连续漏极电流ID(25°C): 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) FET通道极性: P-Channel 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 41 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1620 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET® Gen IV