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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOIC-8_150mil FET通道极性: 2 P-Channel (Dual) 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 12V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 18mΩ @ 8.9A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 350µA 栅极电荷@Vgs: 52nC @ 4.5V 输入电容(Max)@Vds: 1020pF @ 30V FET 功能: Logic Level Gate 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: SI4
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| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
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