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品牌: Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)
型号: SI5435BDC-T1-GE3
封装: 1206-8 ChipFET™
量产: 停产
数据手册原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: 1206-8 ChipFET™ 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 4.3A (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压(Vdss): 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 24 nC @ 10 V 功率耗散(Max): 1.3W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营 | 电话:0755-82781085 邮箱:juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - |
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