• 在线客服

首页 > FET,MOSFET - 单 > SI5515CDC-T1-E3
图片仅供参考,请查阅数据手册

SI5515CDC-T1-E3

品牌: VISHAY(威世)

型号: SI5515CDC-T1-E3

封装: 1206-8 ChipFET™

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: 1206-8 ChipFET™ FET通道极性: N and P-Channel 漏源电压(Vdss): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 36mΩ @ 6A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 800mV @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 11.3nC @ 5V 输入电容(Max)@Vds: 632pF @ 10V FET 功能: Logic Level Gate 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount

  • 更多供应商

  • 替代型号(100个)

  • 详细参数(55%)

供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格(含税) 数量&价格(含税) 操作
自营

电话:0755-82781085

邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

- - -

1+ ¥2.3611

暂无数据

对比

清空对比栏