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SI6467DQ

品牌： Fairchild(仙童)

型号： SI6467DQ

封装： TSSOP8

量产：量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：封装: TSSOP8 栅源极电压Vgs(Max): ±8V 连续漏极电流ID(25°C): 9.2A (Ta) FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 20 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 12mΩ @ 9.2A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 96 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 5878 pF @ 10 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 600mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench®

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
自营	电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn	-	-	-	-

全部 INFINEON(英飞凌) onsemi(安森美) AOS(万代) VISHAY(威世) MCC(美微科) NXP(恩智浦) PANJIT(强茂) MDD(辰达行) TSC(台半) KEXIN(科信) YANGJIE(扬杰科技) NCE(新洁能) ROHM(罗姆) RENESAS(瑞萨) Central(Central) Me-tech(美台高科) TOSHIBA(东芝) DIODES(美台)

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综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）	合计（含税）
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封装	TSSOP8	栅源极电压Vgs(Max)	±8V	连续漏极电流ID(25°C)	9.2A (Ta)
FET通道极性	P-Channel	技术	MOSFET (Metal Oxide)	漏源电压（Vdss）	20 V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	12mΩ @ 9.2A, 4.5V	栅源极阈值电压(Max)@Id	1.5V @ 250µA
栅极电荷@Vgs	96 nC @ 4.5 V	输入电容(Max)@Vds	5878 pF @ 10 V	FET 功能	Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(Max)	600mW (Ta)	工作温度范围	-55℃~150℃	安装类型	Surface Mount
系列	PowerTrench®	导通电阻@(Rdson)@4.5V	-	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	-

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